favicon3

Двухлучевой микроскоп Helios Nanolab

Производитель:

Описание

В двухлучевой системе Helios реализованы новейшие достижения в области автоэмиссионных SEM (FESEM), фокусированного ионного пучка (FIB) и совместного использования этих технологий. Helios NanoLab специально разрабатывался как инструмент, позволяющий максимально широко использовать возможности сверхвысокого разрешения (XHR) при выполнении 2D- и 3D-анализа, создании нанопрототипов и подготовке образцов высочайшего качества. Технология Elstar™ FESEM обеспечивает наилучшую детализацию в нанометровом диапазоне в самых разных рабочих режимах: точность значительно ниже 1 нм достигается как при 30 кВ в режиме STEM для получения информации о структуре, так и при 500 В для беззарядного получения детальных данных о поверхности. предусмотрена тройная система детектирования внутри колонны и режим иммерсии, которые могут использоваться одновременно для формирования изображений SE и BSE (вторичных и обратноотражённых электронов) в зависимости от угла и энергии пучка.

Фото галерея

Технические характеристики

Электронная пушка Elstar, в том числе:

Термополевой эмиттер Шоттки

Возможность переключения между режимами без нарушения вакуума

Технология UC (монохроматор)

Диапазон энергии пучка у поверхности образца 20 В – 30 кВ

60° объектив с двумя линзами с защитой полюсного наконечника

Нагреваемые апертуры объектива

Электростатическое сканирование

Технология линзы с постоянной мощностью ConstantPower™

Торможение пучка с подачей потенциала на предметный столик от 0 В до –4 кВ

Интегрированная функция быстрого гашения (бланкера) пучка*

Ионная колонна Tomahawk

Превосходные характеристики при работе на высоком токе с макс. током пучка до 65 нА

Диапазон ускоряющего напряжения 500 В – 30 кВ

Двухступенчатая дифференциальная откачка.

Времяпролётная коррекция (TOF)

15 апертур

Срок службы источника

Срок службы источника электронов: 12 месяцев

Срок службы источника ионов: гарантия 1000 часов

Разрешение ионного пучка в точке пересечения

4,0 нм при 30 кВ с использованием предпочтительного статистического метода

2,5 нм при 30 кВ с использованием

Максимальная ширина горизонтального поля

Электронный пучок: 2,3 мм в точке совпадения пучка (рабочее расстояние 4 мм)

Ионный пучок: 0,9 мм при 8 кВ в точке совпадения пучка

Ток зонда

Электронный пучок: от 0,8 пA до 22 нА (CX); от 0,8 пA до 100 нА (UC);

Ионный пучок: 0,1 пA – 65 нA (апертурная полоса с 15 положениями)

Поделитесь ссылкой на эту страницу

Share on vk
VK
Share on facebook
Facebook
Share on linkedin
LinkedIn
Share on telegram
Telegram
favicon3

Похожее оборудование

Данные не найдены
Обратная связь
Мы свяжемся с вами в течение 15 минут
Наш менеджер подготовит для Вас коммерческое предложение и сразу свяжется с Вами.
Our manager will prepare a quotation for you and will immediately contact you.
CallBack
We will contact you within 15 minutes