favicon3

Двухлучевой микроскоп Helios Nanolab

Производитель:

Описание

В двухлучевой системе Helios реализованы новейшие достижения в области автоэмиссионных SEM (FESEM), фокусированного ионного пучка (FIB) и совместного использования этих технологий. Helios NanoLab специально разрабатывался как инструмент, позволяющий максимально широко использовать возможности сверхвысокого разрешения (XHR) при выполнении 2D- и 3D-анализа, создании нанопрототипов и подготовке образцов высочайшего качества. Технология Elstar™ FESEM обеспечивает наилучшую детализацию в нанометровом диапазоне в самых разных рабочих режимах: точность значительно ниже 1 нм достигается как при 30 кВ в режиме STEM для получения информации о структуре, так и при 500 В для беззарядного получения детальных данных о поверхности. предусмотрена тройная система детектирования внутри колонны и режим иммерсии, которые могут использоваться одновременно для формирования изображений SE и BSE (вторичных и обратноотражённых электронов) в зависимости от угла и энергии пучка.

Фото галерея

Технические характеристики

Электронная пушка Elstar, в том числе:

Термополевой эмиттер Шоттки

Возможность переключения между режимами без нарушения вакуума

Технология UC (монохроматор)

Диапазон энергии пучка у поверхности образца 20 В – 30 кВ

60° объектив с двумя линзами с защитой полюсного наконечника

Нагреваемые апертуры объектива

Электростатическое сканирование

Технология линзы с постоянной мощностью ConstantPower™

Торможение пучка с подачей потенциала на предметный столик от 0 В до –4 кВ

Интегрированная функция быстрого гашения (бланкера) пучка*

Ионная колонна Tomahawk

Превосходные характеристики при работе на высоком токе с макс. током пучка до 65 нА

Диапазон ускоряющего напряжения 500 В – 30 кВ

Двухступенчатая дифференциальная откачка.

Времяпролётная коррекция (TOF)

15 апертур

Срок службы источника

Срок службы источника электронов: 12 месяцев

Срок службы источника ионов: гарантия 1000 часов

Разрешение ионного пучка в точке пересечения

4,0 нм при 30 кВ с использованием предпочтительного статистического метода

2,5 нм при 30 кВ с использованием

Максимальная ширина горизонтального поля

Электронный пучок: 2,3 мм в точке совпадения пучка (рабочее расстояние 4 мм)

Ионный пучок: 0,9 мм при 8 кВ в точке совпадения пучка

Ток зонда

Электронный пучок: от 0,8 пA до 22 нА (CX); от 0,8 пA до 100 нА (UC);

Ионный пучок: 0,1 пA – 65 нA (апертурная полоса с 15 положениями)

Поделитесь ссылкой на эту страницу

Поделиться в vk
VK
Поделиться в facebook
Facebook
Поделиться в linkedin
LinkedIn
Поделиться в telegram
Telegram
favicon3

Похожее оборудование

В универсальной двухлучевой системе Scios 2 применяется аналитическая двулучевая технология сверхвысокого р…
Обратная связь
Мы свяжемся с вами в течение 15 минут
Наш менеджер подготовит для Вас коммерческое предложение и сразу свяжется с Вами.