Описание
Быстрое картирование и получение результатов одновременно по элементному составу с по- мощью EDS и кристаллической структуре и текстуре с помощью EBSD с быстродействием до 930 точек/с.
Фото галерея
Технические характеристики
Серия детекторов дифракции обратно рассеянных электронов e-Flash EBSD с вертикальнымпозиционированием для получения наилучшего EBSD-сигнала.
Скорость картирования ориентации кристаллитов – 630 точек/с (сортировка 4 x 4) или 930 точек/с (сортировка 8 x 8) с помощью детектора e-Flash1000.
Сбор карт с высоким разрешением с помощью e-FlashHR, предоставляющего снимки образцов с разрешением до 1600 x 1200 точек. Скорость сбора 140 точек/с (сортировка 10 x 10) и 170 точек/с (сортировка 20 x 20). Также поддерживаются измерения при низком ускоряющем напряжении (до 5 кВ) и низких токах пучка (до 0,1 нА).
Направляющее устройство с точностью позиционирования на люминесцентном экране <10 мкм.
Уникальная функция автоматического отвода детектора после завершения измерения.
Поделитесь ссылкой на эту страницу
